電力系統(tǒng)中的高壓電氣設(shè)備,除了承受長時(shí)期的工作電壓作用外,在運(yùn)行過程中,還可能會承受短時(shí)的過電壓和操作過電壓的作用。高壓試驗(yàn)就是用來檢驗(yàn)高壓電氣設(shè)備在過電壓和操作過電壓作用下的絕緣性能或保護(hù)性能。由于高壓試驗(yàn)本身的復(fù)雜性等原因,電氣設(shè)備的交接及預(yù)防性試驗(yàn)中,一般不要求進(jìn)行高壓試驗(yàn)。
電壓試驗(yàn)采用全波電壓波形或截波電壓波形,這種電壓持續(xù)時(shí)間較短,約數(shù)微秒至數(shù)十微秒,它可以由電壓發(fā)生器產(chǎn)生;操作電壓試驗(yàn)采用操作電壓波形,其持續(xù)時(shí)間較長,約數(shù)百至數(shù)千微秒,它可利用電壓發(fā)生器產(chǎn)生,也可利用變壓器產(chǎn)生。許多高電壓試驗(yàn)室的電壓發(fā)生器既可以產(chǎn)生電壓波,也可以產(chǎn)生操作電壓波。本節(jié)僅將產(chǎn)生全波的電壓發(fā)生器作一簡單的介紹。
電壓發(fā)生器是產(chǎn)生電壓波的裝置。如前所述,電壓波形是一個(gè)很快地從零上升到峰值然后較慢地下降的單向性脈沖電壓。這種電壓通常是利用高壓電容器通過球隙對電阻電容回路放電而產(chǎn)生的。圖3-27給出了電壓發(fā)生器的兩種基本回路:回路1見圖3-27(a)和回路2見圖3-27(b)。
圖3-27中的主電容C1在被間隙G隔離的狀態(tài)下由直流電源充電到穩(wěn)態(tài)電壓U0。當(dāng)球隙G被點(diǎn)火擊穿后,主電容C1上的電荷一方面經(jīng)電阻R2放電,同時(shí)C1通過R1對負(fù)荷電容C2充電,在被試品上形成上升的電壓波前。當(dāng)C2上的電壓波充電達(dá)到最大值后,反過來經(jīng)R1與C1一起對R2放電,在被試品上形成下降的電壓波尾。被試品的電容可以等值地并入電容C2中。一般選擇R2比R1大得多得多,這樣就可以在C2上得到所要求的波前較短(時(shí)間常數(shù)R1C2較小)而波長較長(時(shí)間常數(shù)R2C1較大)的電壓波形。輸出電壓峰值Um與U0之比,稱為電壓發(fā)生器的利用系數(shù)η。由于Um不可能大于由電容上的起始電荷U0C1分配到(C1+C2)后所決定的電壓,即
, 故得
(3-20)
可見,為了提高電壓發(fā)生器的利用系數(shù),應(yīng)該選擇C1比C2大得多。
如上所述,由于一般選擇R2C1? R1C2,在回路2中,在很短的波前時(shí)間內(nèi),C1對R2放電時(shí),對C1上的電壓沒有顯著影響,所以回路2的利用系數(shù)主要決定于上述電容間的電荷分配,即
(3-21)
而在回路1中,影響輸出電壓幅值Um的,除了電容上的電荷分配外,還有在電阻R1、R2上的分壓作用。因此,回路1的利用系數(shù)可近似地表示為
(3-22)
比較式(3-21)及式(3-22)可知,η2>η1,所以回路2稱為高效率回路。由于回路2具有較高的利用系數(shù),在實(shí)際的電壓發(fā)生器中,回路2常被采用,作為電壓發(fā)生器的基本接線方式。
下面就以圖3-28回路2為基礎(chǔ)來分析回路元件與輸出電壓波形的關(guān)系。
為使問題簡化,在決定波前時(shí),可忽略R2的作用,即把圖3-27回路2簡化成如圖3-28(a)所示。這樣,C2上的電壓可用下式表示
(3-23)
式中 τ1——決定波前的時(shí)間常數(shù)。
根據(jù)波視在波前T1的定義(詳見第一章第四節(jié)),可知當(dāng)t=t1時(shí),u(t1)=0.3Um;t=t2時(shí),u(t2)=0.9Um。即
或 (3-24)
及
或 (3-25)
式(3-24)除以式(3-25)得
而波前時(shí)間
(3-26)
同樣,在決定半峰值時(shí)間時(shí)可忽略R1的作用,即把回路簡化成如圖3-28(b)所示。這樣,輸出電壓可用下式表示
(3-27)
式中τ2——決定半峰值時(shí)間的時(shí)間常數(shù)。
根據(jù)半峰值時(shí)間T2的定義(詳見第一章第四節(jié)),可以列出方程式
由此得
(3-28)
應(yīng)當(dāng)指出,式(3-26)及式(3-28)的關(guān)系是在略去了許多影響因素(其中包括回路電感的影響)以后近似推出的。根據(jù)較詳細(xì)的分析計(jì)算和在實(shí)際裝置上測量校驗(yàn)的經(jīng)驗(yàn),推薦使用下述修正的公式。
(3-29)
當(dāng)回路電感較大時(shí),上式中的系數(shù)取較小的值。上述兩個(gè)公式可以用來計(jì)算電壓發(fā)生器的參數(shù)和調(diào)整電壓發(fā)生器的輸出電壓波形。
由于受到整流設(shè)備和電容器額定電壓的限制,單級電壓發(fā)生器的最高電壓一般不超過200~300kV。但實(shí)際的電壓試驗(yàn)中,常常需要產(chǎn)生高達(dá)數(shù)千千伏的電壓,就只有多級電壓發(fā)生器才能做到了。多級電壓發(fā)生器的工作原理簡單說來就是利用多級電容器在并聯(lián)結(jié)線下充電,然后通過球隙將各級電容器串聯(lián)起來放電,即可獲得幅值很高的電壓。適當(dāng)選擇放電回路中各元件的參數(shù),即可獲得所需的電壓波形。
圖3-29所示為多級電壓發(fā)生器的電路圖。圖中,先由工頻試驗(yàn)變壓器T經(jīng)過整流元件V和充電電阻Rch、保護(hù)電阻Rb給并聯(lián)的各級主電容C1~C3充電,達(dá)穩(wěn)態(tài)時(shí),點(diǎn)1、3、5的電位為零;點(diǎn)2、4、6的電位為-U0,充電電阻Rch?波尾電阻R2?阻尼電阻Rg,各級球隙G1~G4的放電電壓調(diào)整到稍大于U0。當(dāng)主電容充電完成后,設(shè)法使間隙G1點(diǎn)火擊穿,此時(shí)點(diǎn)2的電位由-U0突然升到零;主電容C1經(jīng)G1和Rch1放電,由于Rch1的阻值很大,故放電進(jìn)行得很慢,且?guī)缀跞?/span>電壓都降落在Rch1上,使點(diǎn)1的電位升到+U0。當(dāng)點(diǎn)2的電位突然升到零時(shí),經(jīng)Rch4也會對Cp4充電,但因Rch4的阻值很大,在極短的時(shí)間內(nèi),經(jīng)Rch4對Cp4的充電效應(yīng)是很小的,點(diǎn)4的電位仍接近于-U0,于是間隙G2上的電位差接近于2U0,促使G2擊穿,G2擊穿后,主電容C1通過串聯(lián)電路G1—C1—Rg2—G2對Cp4充電;同時(shí)又串聯(lián)C2后對Cp3充電;由于Cp4、Cp3的值很小,Rg2的值也很小,故可以認(rèn)為G2擊穿后,對Cp4、Cp3的充電幾乎是立即完成的,點(diǎn)4的電位立即升到+U0,而點(diǎn)3的電位立即升到+2U0;與此同時(shí),點(diǎn)6的電位卻由于Rch6和Rch5的阻隔,仍維持在原電位-U0;于是間隙G3上的電位差就接近3U0,促使G3擊穿。接著,主電容C1、C2串聯(lián)后,經(jīng)G1、G2、G3電路對Cp6充電;再串聯(lián)C3后對Cp5充電;由于Cp5、Cp6極小,Rg2、Rg3也很小,故可以認(rèn)為Cp6和Cp5的充電幾乎是立即完成的;也即可以認(rèn)為G3擊穿后,點(diǎn)6的電位立即升到+2U0,點(diǎn)5的電位立即升到+3U0。P點(diǎn)的電位顯然未變,仍為零。于是間隙G4上的電位差接近達(dá)3U0,促使G4擊穿。這樣,各級主電容C1~C3就被串聯(lián)起來,經(jīng)各組阻尼電阻Rg向波尾電阻R2放電,形成主放電回路;與此同時(shí),也經(jīng)R1對C2和被試品電容充電,形成電壓波的波前。
與此同時(shí),也存在著各級主電容經(jīng)充電電阻Rch、阻尼電阻Rg和中間球隙G的局部放電。由于Rch的值足夠大,這種局部放電的速度比主放電的速度慢很多倍,因此,可認(rèn)為對主放電沒有明顯的影響。
中間球隙擊穿后,主電容對相應(yīng)各點(diǎn)朵散電容Cp充電的回路中總存在某些寄生電感,這些雜散電容的值又極小,這就可能會引起一些局部振蕩。這些局部的振蕩將疊加到總的輸出電壓波形上去。為消除這些局部振蕩,就應(yīng)在各級放電回路中串入一阻尼電阻Rg,此外,主放電回路本身也應(yīng)保證不產(chǎn)生振蕩。
電壓是非周期性的快速變化過程。因此,測量電壓的儀器和測量系統(tǒng)必須具有良好的瞬變響應(yīng)特性。電壓的測量包括峰值測量和波形記錄兩個(gè)方面。目前常用的測量電壓的方法有:①測量球隙;②分壓器一峰值電壓表;③分壓器一示波器。球隙和峰值電壓表只能測量電壓的峰值,示波器則能記錄波形,即不僅能指示電壓的峰值,而且能顯示電壓隨時(shí)間的變化過程。
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